申请/专利权人：重庆大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748895A

主分类号：H02M1/00

分类号：H02M1/00;H01L25/18;H02M7/00;H02M7/797

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种可重构三电平功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该功率模块包括DBC、碳化硅芯片、硅芯片、二极管芯片、测温铂电阻及封装壳体，其中DBC包括氮化硅陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；该功率模块还包括功率端子、碳化硅芯片端子、硅芯片端子、二极管芯片端子、铂电阻端子和信号端子，这些端子均焊接在上覆金属层。功率模块为半桥结构，半桥电路为由硅和碳化硅芯片构成的混合NPC型三电平电路，上下桥臂各由一个硅芯片开关单元和一个碳化硅芯片开关单元构成，将每个硅芯片和碳化硅芯片的端子通过pin针引出，外部低压MOSFET连接到各个芯片端子控制硅芯片单元和碳化硅芯片单元之间的连接，从而实现电路重构。

主权项：1.一种可重构三电平功率模块，其特征在于：包括DBC，以及设置在DBC上的碳化硅芯片、硅芯片、二极管芯片、测温铂电阻和外壳；还包括DC+功率端子、DC-功率端子、直流中点端子、输出AC功率端子、信号输出端子以及碳化硅芯片、硅芯片、二极管芯片及铂电阻的输出端子，所有端子均焊接在所述DBC上；该功率模块的电路结构为半桥电路结构，该半桥电路为由碳化硅芯片和硅芯片组成的混合NPC型三电平电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种可重构三电平功率模块

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