申请/专利权人：南开大学

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737668A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;H01F41/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，属于新材料技术领域，包括以下步骤：1采用直流磁控溅射技术在SiSiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2在步骤1的基础上，采用直流磁控溅射技术在Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3在步骤2的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE直流共溅射的方法在多层膜上制备TM‑RE亚铁磁合金的步骤；4在步骤3的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终得到亚铁磁多层膜。5利用镓离子辐照改变亚铁磁多层膜的磁各向异性，构筑手性耦合磁结构。本发明利用该手性耦合可构筑基于亚铁磁的赛道存储器，有望在新型计算方面展现出比传统的铁磁系统更低功耗的应用潜力。

主权项：1.一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1、采用直流磁控溅射技术在SiSiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2、在步骤1的基础上，采用直流磁控溅射技术在种子层Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3、在步骤2的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE靶材直流共溅射的方法在TaPt多层膜上制备TM-RE亚铁磁合金的步骤；4、在步骤3的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上再沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终在SiSiO2衬底上得到TaPtTM-RE亚铁磁层Ta多层膜结构；5、利用镓离子辐照改变亚铁磁薄膜的垂直磁各向异性由面外向面内转变，构筑亚铁磁手性耦合的结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南开大学 一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法

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