申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737711A

主分类号：C23C16/52

分类号：C23C16/52;C23C16/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法，应用于半导体工艺领域中，在LPCVD炉管工艺的单个保养周期执行每批次沉积工艺之前后，均先依据多个不同产品位置区的平均图案化密度对监控片上沉积膜的厚度的影响规律，建立在不同产品位置区的平均图案化密度影响下的各监控片上沉积膜的动态目标厚度，之后在根据各监控片上实际形成的沉积膜的实际厚度和之前所建立的预测厚度之间的差异，对工艺参数进行调节，以补偿炉管内环境变化造成的膜厚影响，进而达到及时、动态调整工艺参数的目标，进而有效地保证后续批次LPCVD炉管工艺的稳定性。

主权项：1.一种LPCVD炉管自动调控沉积膜厚度的方法，其特征在于，包括：提供一LPCVD炉管，并将所述LPCVD炉管之反应腔自上而下划分为多个产品位置区；在所述反应腔的顶部、中部、底部分别设置一未图案化的监控片，其中，每两个所述监控片之间至少对应一所述产品位置区；在每一所述产品位置区内分别填充图案化的晶圆，并将晶圆单元产品数目、晶圆单元产品所处产品放置区的位置、晶圆数量及每片晶圆的图案化密度发送至调控系统，所述调控系统计算获得各产品位置区的平均图案化密度，进而通过不同产品位置区的平均图案化密度计算获得各监控片上沉积膜的动态目标厚度，所述动态目标厚度为各监控片上沉积膜在各产品位置区的平均图案化密度的影响下的预测厚度；对所述填充图案化的晶圆进行对应制程的测试运行，并量测各所述监控片上沉积膜的实际厚度，并反馈至调控系统；调控系统根据各监控片上沉积膜的实际厚度与其动态目标厚度的差异，执行工艺参数的调节，且将调节后的工艺参数作为所述LPCVD炉管的下一批次作业的工艺参数，并返回执行在所述LPCVD炉管的反应腔的顶部、中部、底部分别设置一未图案化的监控片的步骤，以执行所述下一批次作业。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LPCVD炉管自动调控沉积膜厚度的方法

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