申请/专利权人：东方日升新能源股份有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750855A

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K71/15;H10K30/20;H10K71/40;H10K30/82;H10K71/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了空穴传输层的制备方法、钙钛矿晶硅叠层太阳电池及制备方法，涉及钙钛矿技术领域。先利用溶液法形成第一混合自组装单分子薄膜，然后利用蒸镀法形成第二混合自组装单分子薄膜，利用蒸镀法形成的第二混合自组装单分子薄膜可以有效地弥补第一混合自组装单分子薄膜形成过程中产生的缺陷，更好地保留了绒面金字塔塔尖位置的自组装单分子材料，能够有效解决现有制备方法成膜不均匀、厚度无法控制的问题，能够满足大面积批量化钙钛矿硅叠层太阳电池的生产。

主权项：1.一种空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括：在基材上依次形成第一混合自组装单分子薄膜和第二混合自组装单分子薄膜；其中，所述第一混合自组装单分子薄膜采用溶液法形成，所述第二混合自组装单分子薄膜采用蒸镀法形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东方日升新能源股份有限公司 空穴传输层的制备方法、钙钛矿晶硅叠层太阳电池及制备方法

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