申请/专利权人：上海昇贻半导体科技有限公司

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748955A

主分类号：H02M3/158

分类号：H02M3/158;H02M1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种高速低功耗CMOS电压转换电路，属于集成电路领域，包括PMOS管MP1~MP4、NMOS管MN1~MN6、反相器INV和电容C；所述PMOS管MP1~MP2、所述NMOS管MN1~MN2是IOMOS器件；所述PMOS管MP3~MP4、所述NMOS管MN3~MN6是coreMOS器件。基于T22ULP的仿真表明本发明的电路即使在电压core=0.8V，IO=1.8V的情况下可以达到12.5G的时钟频率，这个是传统电路远远没有办法达到的。而同等速度下的功耗也表明本发明远低于现有电路。电路完全兼容CMOS工艺，没有增加任何MASK也没有增加面积，因此完美的兼顾了高速，低功耗和低成本。先进制程中core的电压和IO电压差距越来越大，而速度和功耗的要求越来越高，因此本发明的方案具有很大的使用价值。

主权项：1.一种高速低功耗CMOS电压转换电路，其特征在于，包括PMOS管MP1~MP4、NMOS管MN1~MN6；PMOS管MP1的源端和PMOS管MP2的源端均接MVDDQ，PMOS管MP1的漏端同时接PMOS管MP2的栅端和NMOS管MN1的漏端，PMOS管MP2的漏端同时接PMOS管MP1的栅端和NMOS管MN2的漏端；NMOS管MN1的栅端和NMOS管MN2的栅端均接MVDDQ，NMOS管MN1的源端接NMOS管MN3的漏端，NMOS管MN3的源端同时接PMOS管MP3的漏端和NMOS管MN5的漏端，PMOS管MP3的源端接VDD，栅端接信号DPL，NMOS管MN5的源端接地MVSS，栅端接DPL；NMOS管MN2的源端接NMOS管MN4的漏端，NMOS管MN4的源端同时接PMOS管MP4的漏端和NMOS管MN6的漏端，PMOS管MP4的源端接VDD，栅端接信号DNL，NMOS管MN6的源端接地MVSS，栅端接DNL；NMOS管MN3的栅端和NMOS管MN4的栅端均接VDD。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海昇贻半导体科技有限公司 一种高速低功耗CMOS电压转换电路

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