申请/专利权人：周星工程股份有限公司

申请日：2022-08-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751426A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C23C16/455;C23C16/32

优先权：["20210806 KR 10-2021-0104086"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：根据本发明的实施例的碳化硅基板的制造方法包括以下步骤：准备基底；在基底上形成N型碳化硅薄膜或P型碳化硅薄膜；以及将碳化硅薄膜与基底分离，其中，形成碳化硅薄膜的步骤包括：将包含硅Si的源气体喷射到基底上的步骤；在停止喷射源气体后喷射吹扫气体的初次吹扫步骤；在初次吹扫停止后喷射包含碳C的反应气体的步骤；以及在停止喷射反应气体后喷射吹扫气体的二次吹扫的步骤。因此，根据示例性实施例，可以在低温下沉积碳化硅薄膜以准备碳化硅基板。因此，可以减少用于提高基板的温度来形成碳化硅薄膜所需的电力或时间。

主权项：1.一种碳化硅基板的制造方法，所述方法包括：准备基底；在所述基底上形成n型碳化硅薄膜或p型碳化硅薄膜中的任一碳化硅薄膜；以及将所述碳化硅薄膜与所述基底分离，其中，形成所述碳化硅薄膜包括：将包含硅Si的源气体喷射到所述基底上；在停止喷射所述源气体后进行喷射吹扫气体的初次吹扫；在所述初次吹扫停止后喷射包含碳C的反应气体；以及在停止喷射所述反应气体后进行喷射吹扫气体的二次吹扫。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 周星工程股份有限公司 碳化硅基板的制造方法

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