申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748941A

主分类号：H02M3/07

分类号：H02M3/07;H02M1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种电荷泵电路以及存储器，电荷泵电路包括：电源模块和电荷泵模块，电源产生电路包括均连接在外部总电源和地之间的第一电流路径和第二电流路径。第一电流路径包括依次串联的第一电流源、调整晶体管、MOS管和第一三级管；第二电流路径包括NMOS管和第二电流源。调整晶体管的正向导通电压随着温度的降低而升高，如此一来，在低温时第一电流源和调整晶体管之间的电压即NMOS管的栅极电压较中温和高温时升高，相应的在低温时NMOS管的漏极电压即内部电源电压升高。通过提高低温时电荷泵模块的供电电压即内部电源电压，来提高低温时电荷泵模块的效率，使电荷泵模块的效率在工作温度全温区范围内稳定。

主权项：1.一种电荷泵电路，其特征在于，包括：电源模块和电荷泵模块，所述电源模块上的电源产生电路产生内部电源给所述电荷泵模块供电；所述电源产生电路包括均连接在外部总电源和地之间的第一电流路径和第二电流路径；所述第一电流路径包括依次串联的第一电流源、调整晶体管、MOS管和第一三级管；所述第二电流路径包括NMOS管和第二电流源；所述第一电流源的一端连接所述外部总电源，另一端与所述NMOS管的栅极相连；所述NMOS管的源极连接所述外部总电源，从所述NMOS管的漏极输出所述内部电源；其中，所述调整晶体管具有正向导通电压，且所述正向导通电压随着温度的降低而升高。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电荷泵电路以及存储器

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