申请/专利权人：西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737864A

主分类号：C30B35/00

分类号：C30B35/00;C30B29/36;C01B32/984

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种碳化硅粉料合成的坩埚装置及其使用方法，包括三个结构相同的坩埚外圈、坩埚盖和坩埚底板；三个坩埚外圈上下堆叠，坩埚外圈之间通过卡槽连接，以此达到准密封目的，每个坩埚外圈内侧下部设置有坩埚底板，坩埚底板中间位置放置有坩埚内环；最上部坩埚外圈的上端设置有坩埚盖，最下部坩埚外圈的底端设置有坩埚底座；坩埚外圈和坩埚盖外壁上套设有坩埚罩。三层圆环型坩埚上下堆叠形成，增加了粉料容量问题，提高合成效率；将坩埚盖与坩埚壁留有缝隙，杂质从该缝隙中逃离，从减少杂质的产生；通气孔能及时给坩埚内泄压，避免出现坩埚盖跳盖，坩埚内出现喷料的问题。

主权项：1.一种碳化硅粉料合成的坩埚装置，其特征在于，包括三个结构相同的坩埚外圈、坩埚盖和坩埚底板；三个所述坩埚外圈上下堆叠，坩埚外圈之间通过卡槽连接，以此达到准密封目的，每个坩埚外圈内侧下部设置有坩埚底板，坩埚底板中间位置放置有坩埚内环；最上部坩埚外圈的上端设置有坩埚盖，最下部坩埚外圈的底端设置有坩埚底座；坩埚外圈和坩埚盖外壁上套设有坩埚罩。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种碳化硅粉料合成的坩埚装置及其使用方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD