申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747458A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种硅片OISF缺陷的光致发光检测方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：利用光致发光成像技术用高强度照明激发半导体中的载流子，载流子会通过不同的渠道进行复合，辐射复合产生光子的发射‑PL。第二步：从硅片中发出的光致发光效应的光的强度与对应位置的非平衡少数载流子的密度成正比，而硅片中存在缺陷的地方会成为少数载流子的强复合中心，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域。第三步：在硅片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域，反映在缺陷分布图像上便会出现清晰的亮点，通过缺陷分布图像中的亮点的分布观察缺陷的分布情况。简化了检测步骤且缩短了检测时间，具有环保且测试效率高的特点。

主权项：1.一种硅片OISF缺陷的光致发光检测方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：利用光致发光成像技术用高强度照明激发半导体中的载流子，载流子会通过不同的渠道进行复合，辐射复合产生光子的发射-PL；第二步：从硅片中发出的光致发光效应的光的强度与对应位置的非平衡少数载流子的密度成正比，而硅片中存在缺陷的地方会成为少数载流子的强复合中心，因此该区域的少数载流子密度变小导致荧光效应减弱，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域；第三步：在硅片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域，反映在缺陷分布图像上便会出现清晰的亮点，通过缺陷分布图像中的亮点的分布观察缺陷的分布情况。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 硅片OISF缺陷的光致发光检测方法

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