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【发明公布】一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺_昆明理工大学_202311741856.X 

申请/专利权人:昆明理工大学

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117737623A

主分类号:C22F1/057

分类号:C22F1/057;C22F1/02;C22C21/16;C22C1/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明公开了一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺,属于引线框架材料生产工艺技术领域。本发明所述的高强高导铝镁硅铜合金,按质量百分比包含0.3~1.2%Mg,0.5~1.4%Si,5.0~7.8%Cu,0.1~0.2%Ti,0.01~0.1%B,其余为Al和一些不可避免的杂质元素。成品材料制备方法包括真空熔炼铸造、浇铸、锻造、初次固溶处理、恒温真空处理、反向重复异步轧制处理、二次三阶段固溶处理、不完全人工时效处理工艺。本工艺通过反向重复异步轧制处理改善了铝镁硅铜合金的强度和导电性能。其工件可用于汽车、电子、航空航天等领域,具有非常好的工业应用前景。

主权项:1.一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺,其特征在于:具体制备步骤如下所述:1将Mg、Si、Ti、B合金粉末和Al及不可避免的杂质在球磨机中进行混粉,然后进行熔炼,在熔炼过程中通过送粉口将Cu粉末投入到合金液中并进行电磁搅拌,接着进行精炼、除杂工序,获得合金熔液;2将步骤1得到的合金熔液保温后浇铸到预热好的模具中,形成铝合金板;3将步骤2中得到的铝合金板置于空气循环电阻炉中进行初次固溶处理,然后进行退火处理;4将退火处理后的铝合金放入恒温真空箱中进行恒温真空处理;5恒温真空处理完成后将铝合金板进行反向重复异步轧制处理;6反向重复异步轧制处理后将铝合金进行二次三阶段固溶处理;7二次三阶段固溶处理后将铝合金进行不完全人工时效处理,得到高强高导铝镁硅铜合金。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昆明理工大学 一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺

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