申请/专利权人：复旦大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737698A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/40;C23C16/52;C23C16/56;H10B51/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种铁电薄膜制备方法、铁电薄膜及包含其的铁电器件。该铁电薄膜制备方法，以TEMAH为铪前驱体，以La‑FMD为镧前驱体，以氧等离子体或水源为氧源，通过原子层沉积技术生长HfLaO薄膜；通过HfO2和La2O3的交替沉积周期，对La掺杂浓度以及薄膜厚度进行可控调整；通过快速热退火促进HfLaO薄膜o相的形成，激活铁电性，其中，基于La元素离子半径大和电负性低特性，使得HfLaO薄膜中的o相的比例提升，提高薄膜的剩余极化强度和耐压特性。基于HfLaO薄膜较高的剩余极化强度，在铁电隧穿结器件中可以实现更高隧穿势垒变化，表现出更高的开关比，提高铁电存储器的存储密度。

主权项：1.一种铁电薄膜制备方法，其特征在于，以TEMAH为铪前驱体，以La-FMD为镧前驱体，以氧等离子体或水源为氧源，通过原子层沉积技术生长HfLaO薄膜；通过调节HfO2和La2O3的交替沉积周期，对La掺杂浓度以及HfLaO薄膜厚度进行可控调整；通过快速热退火促进HfLaO薄膜o相的形成，激活铁电性，其中，基于La元素离子半径大和电负性低特性，使得HfLaO薄膜中的o相的比例提升，提高薄膜的剩余极化强度和耐压特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 一种铁电薄膜制备方法、铁电薄膜及包含其的铁电器件

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