申请/专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747438A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;C22C5/02;C22F1/02;C21D9/40;C21D9/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体器件封焊技术领域，公开了一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。本发明在降低金锡熔封器件熔封空洞率，提高气密性的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾了生产效率。

主权项：1.一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，其特征在于，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学 一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺

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