申请/专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737831A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B29/06;C30B27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种N型直拉单晶硅的制备方法,包括：步骤S1：将多晶硅料和N型掺杂剂置于石英坩埚中，并将石英坩埚置于单晶炉内；步骤S2：对单晶炉进行抽真空操作后注入保护气体，控制单晶炉内压力为3‑15torr；步骤S3：通过单晶炉对所述坩埚加热，使多晶硅料和N型掺杂剂熔化，并保持温度不降低，得到熔硅液体；步骤S4：在熔硅液体中引入籽晶，依次进行引颈、缩颈和放肩操作，使之进入等径生长阶段；步骤S5：等径生长完成后，进入收尾阶段，使晶体的直径逐渐减小，直至形成一个尖点而与熔硅分离，以获得N型直拉单晶硅。本发明通过在硅料熔化和晶体等径生长阶段调控炉内压力以降低单晶硅氧含量，简单便捷且成本低。

主权项：1.一种N型直拉单晶硅的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：将多晶硅料和N型掺杂剂置于石英坩埚中，并将所述石英坩埚置于单晶炉内；步骤S2：对所述单晶炉进行抽真空操作后注入保护气体，控制所述单晶炉内压力为3-15torr；步骤S3：通过所述单晶炉对所述坩埚加热，使所述多晶硅料和N型掺杂剂熔化，并保持温度不降低，得到熔硅液体；步骤S4：在熔硅液体中引入籽晶，依次进行引颈、缩颈和放肩操作，使之进入等径生长阶段；步骤S5：等径生长完成后，进入收尾阶段，使晶体的直径逐渐减小，直至形成一个尖点而与所述熔硅分离，以获得N型直拉单晶硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司 一种N型直拉单晶硅的制备方法

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