申请/专利权人：天津工业大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747733A

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于光电子制造技术领域，本发明公开了一种铁电薄膜GaN基LED集成红光芯片及其制备方法。该芯片从下到上包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上方；n型掺杂GaN层，位于所述缓冲层上方；有源层，位于所述n型掺杂GaN层上方；p型掺杂的电子阻挡层，位于所述有源层上方；p型掺杂GaN层，位于所述p型掺杂的电子阻挡层上方；SiO2绝缘层，位于p型掺杂层上方；铁电薄膜层，位于SiO2绝缘层上方。本发明采用的铁电薄膜与GaN基LED集成，利用铁电极化的调控效应，直接将外延技术较为成熟的非红光LEDλ为570～600nm转变为红光LED＞620nm，实现高质量高效率的红光发光。

主权项：1.一种铁电薄膜GaN基LED集成红光芯片，其特征在于，包括如下结构：衬底；缓冲层，位于所述衬底上方；n型掺杂GaN层，位于缓冲层上方；有源层，位于所述n型掺杂GaN层上方；p型掺杂的电子阻挡层，位于所述有源层上方；p型掺杂GaN层，位于所述p型掺杂的电子阻挡层上方；SiO2绝缘层，位于所述p型掺杂GaN层上方；铁电薄膜层，位于所述SiO2绝缘层上方以提供铁电极化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津工业大学 一种铁电薄膜/GaN基LED集成红光芯片及其制备方法

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