申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735474A

主分类号：B81B7/00

分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输入输出硅波导‑CPWG转换结构；硅波导无源元件；TSV阵列。本发明利用MEMS圆片级键合工艺实现了多层硅衬底的堆叠，实现了硅微机械波导无源元件与微波电路的空间一体化集成，降低了传输损耗，提高了太赫兹微纳系统结构的空间利用率；MEMS体硅工艺的高精度加工保证了太赫兹微纳系统的加工精度和性能一致性。

主权项：1.一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统，其特征在于，包括自下而上设置的第一层衬底、第二层衬底、第三层衬底、第四层衬底、第五层衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输入输出微机械硅波导-CPWG转换结构；带线-微机械硅波导转换结构；硅波导无源元件；TSV阵列；所述输入输出微机械硅波导-CPWG转换结构位于第一层衬底、第二层衬底和第三层衬底上；所述输入输出微机械硅波导-CPWG转换结构中的硅波导位于第一层衬底上，输入输出CPWG位于第三层衬底的下表面，所述输入输出微机械硅波导-CPWG转换结构中的转接结构位于第二层衬底和第三层衬底；所述芯片埋置槽位于第二层衬底上；射频芯片放置在芯片埋置槽内，并通过引线与所述CPWG互连；所述带线-微机械硅波导转换结构位于第二层衬底、第三层衬底、第四层衬底和第五层衬底上，其中所述带线位于第二层衬底和第三层衬底上，所述微机械硅波导位于第四层衬底和第五层衬底上；所述硅波导无源元件位于第四层衬底和第五层衬底上；所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统采用MEMS晶圆级键合工艺实现多层衬底的堆叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法

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