申请/专利权人：苏州芯泉半导体科技有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747275A

主分类号：H01F38/14

分类号：H01F38/14;H01F17/00;H01F27/34;H01F41/04;H01F27/40;H02J50/00;H02J50/10;H02J50/70

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了高Q值立体全向射频能量接收线圈,结合硅基异质集成工艺加工形成高Q值的立体结构射频能量接收电感线圈；在XY、YZ、XZ三个平面构建三维立体射频能量接收电感线圈结构实现全向射频能量接收；结合硅基异质集成工艺进行高Q值的XY、YZ、XZ三维立体射频能量接收电感线圈实现与系统集成。可实现微系统的全向射频能量接收，对微系统进行高灵活度的无线供电，有利于IoT微系统的小型化与自由度提高，提升整体IoT系统性能。

主权项：1.高Q值立体全向射频能量接收线圈，其特征在于：包括使用基于硅基异质集成工艺加工的三个互相垂直的射频能量接收线圈；所述三个射频能量接收线圈分别对应XY平面、YZ平面和XZ平面；每个所述射频能量接收线圈均基于硅基异质集成工艺形成高Q值立体电感线圈结构；每个所述射频能量接收线圈均包括RDL布线层1、高密度TSV通孔2和硅基板3；所述硅基板3用于形成高密度TSV通孔2并作为RDL布线层1的载体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州芯泉半导体科技有限公司 高Q值立体全向射频能量接收线圈

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD