申请/专利权人：大连理工大学

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117732261A

主分类号：B01D67/00

分类号：B01D67/00;B01D69/02;B01D69/12;B01D69/10;C02F1/44;C02F103/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种不同缺陷浓度UiO‑66膜的制备方法及应用，其属于MOF制备技术领域。在陶瓷基载体上涂覆一层无机氧化物过渡层，之后在原液的配置中，添加不同比例的调节剂乙酸，利用水热法生长不同缺陷浓度的UiO‑66膜。该系列UiO‑66膜在水处理领域如正渗透离子分离、渗透蒸发海水淡化、渗透蒸发处理高盐废水等具有潜在应用前景。本发明制得不同缺陷浓度的UiO‑66致密膜，该系列膜具有不同的孔道结构，即不同的孔容和孔径，从而能够截留住不同尺寸的离子，从而实现离子的有效分离；该系列致密膜具有更大的孔径和孔容，因此在渗透蒸发过程中表现出比无缺陷的UiO‑66膜更大的水渗透通量。

主权项：1.一种不同缺陷浓度UiO-66膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在陶瓷基载体上涂覆无机氧化物过渡层将陶瓷基载体两端封口，采用浸渍-提拉法将无机氧化物溶胶均匀涂覆在陶瓷基载体的外表面，浸渍时间为0.5-15秒，提拉速度为0.1-2cms，然后室温静置在恒湿箱中不少于48h后，放入高温烧结炉中进行烧制，升温速率为2-4℃min，升温至500-900℃，保温2h后，以3-7℃min的降温速率降至300℃-400℃，之后自然冷却至室温，涂覆厚度为1.0-5.0微米的无机氧化物过渡层，得到涂覆无机氧化物过渡层的陶瓷基载体；（2）在无机氧化物过渡层上生长不同缺陷浓度的UiO-66膜将氯化锆、对苯二甲酸和N-N二甲基甲酰胺至于聚四氟乙烯反应釜中，氯化锆:对苯二甲酸:N-N二甲基甲酰胺的摩尔比为1:1:500，用磁力搅拌器搅拌，再在聚四氟乙烯反应釜中添加调节剂乙酸，所述调节剂乙酸与氯化锆的摩尔比为1:5-300；将所述涂覆无机氧化物过渡层的陶瓷基载体两端封口并垂直至于反应釜中，在120-220℃的烘箱中反应16-48h，待反应釜的温度降至室温后将其取出；用乙醇和N-N二甲基甲酰胺淋洗，置于100-150℃的真空箱中进行活化12-24h，即完成不同酸量的调节生长的不同缺陷量的UiO-66膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连理工大学 一种不同缺陷浓度UiO-66膜的制备方法及应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD