申请/专利权人：吉盛微(武汉)新材料科技有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747411A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C01B21/064;C01B32/194;H01L29/267

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种六方氮化硼石墨烯六方氮化硼异质结的制备方法，其通过第一中间基底将六方氮化硼材料的第三子层与第一PMMA材料层贴合，之后通过第二中间基底将石墨烯材料的第六子层与第三子层贴合，然后通过第三中间基底将六方氮化硼材料的第九子层与第六子层贴合，最后将第九子层、第六子层、第三子层以及第一PMMA材料层共同转移至目标基底上，并去除第一PMMA材料层，从而将六方氮化硼石墨烯六方氮化硼异质结转移至目标基底上，上述制备过程可以避免石墨烯材料与六方氮化硼材料的界面间的PMMA等杂质的污染，进一步提高了六方氮化硼石墨烯六方氮化硼异质结在转移后的成膜质量。

主权项：1.一种六方氮化硼石墨烯六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，在第一中间基底上形成一层第一PMMA材料层，所述第一中间基底包括由下至上层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第三子层与所述第一PMMA材料层相接触，所述第一子层和所述第三子层均为六方氮化硼，所述第二子层为铜；S20，对所述第一中间基底进行刻蚀处理，以完全去除所述第一子层以及所述第二子层；S30，将所述第三子层以及所述第一PMMA材料层共同转移至第二中间基底上，所述第二中间基底包括由下至上层叠设置的第四子层、第五子层以及第六子层，所述第三子层与所述第六子层相接触，所述第四子层和所述第六子层均为石墨烯，所述第五子层为铜；S40，对所述第二中间基底进行刻蚀处理，以完全去除所述第四子层以及所述第五子层；S50，将所述第六子层、所述第三子层、所述第一PMMA材料层共同转移至第三中间基底上，所述第三中间基底包括由下至上层叠设置的第七子层、第八子层以及第九子层，所述第九子层与所述第六子层相接触，所述第七子层和所述第九子层均为六方氮化硼，所述第八子层为铜；S60，对所述第三中间基底进行刻蚀处理，以完全去除所述第七子层以及所述第八子层；S70，将所述第九子层、所述第六子层、所述第三子层以及所述第一PMMA材料层共同转移至目标基底上，并去除所述第一PMMA材料层。

全文数据：

权利要求：

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