申请/专利权人：深圳市安信达存储技术有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742614A

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，涉及数据闪存技术领域，对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列，解决了闪存单元使用频率不均衡的问题，提高闪存阵列的使用寿命。

主权项：1.一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；步骤S2：将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；步骤S3：根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；步骤S4：完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元进行重新分级，获得新的闪存阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市安信达存储技术有限公司 一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD