申请/专利权人：泉州师范学院

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750787A

主分类号：H10K10/50

分类号：H10K10/50;H10K85/50;H10K10/82;H10K71/12;H10K71/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了含高浓度过量有机阳离子的钙钛矿忆阻器及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的含高浓度过量有机阳离子的钙钛矿忆阻器包括基板、设置在基板上方的电极和阻变层，阻变层设于电极的上表面或者下表面，阻变层为含高浓度过量有机阳离子CH3NH3+的有机无机复合钙钛矿材料；电极包括正极、负极，正极与负极之间留有间距；当阻变层设于电极的上表面时，阻变层的中部向该间距内延伸以形成嵌入部；当阻变层设于电极的下表面时，正极、负极电极分别位于阻变层上表面的左右两侧上。本发明在钙钛矿前驱体溶液中加入高浓度过量的CH3NH3+，从而使得钙钛矿薄膜中含有过量的CH3NH3+，以解决常规钙钛矿材料中可移动的离子数量少，无法调控电阻态的局限性的问题。

主权项：1.含高浓度过量有机阳离子的钙钛矿忆阻器，其特征在于：其结构包括基板、设置在基板上方的电极和阻变层，所述阻变层设于电极的上表面或者下表面，所述阻变层为含高浓度过量有机阳离子CH3NH3+的有机无机复合钙钛矿材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州师范学院 含高浓度过量有机阳离子的钙钛矿忆阻器及其制备方法

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