申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747657A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种具有high‑klow‑k复合介质结构的AlGaNGaNHEMT及制备方法，该AlGaNGaNHEMT包括：高K介质层所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆。本发明在缓冲层中引入了高K介质和低K介质的复合介质结构，高K介质和低K介质的复合介质结构能够改变电场分布从而提高器件的击穿电压，还增加了背势垒层，背势垒层可以提高沟道到缓冲层的电子势垒高度，从而降低AlGaNGaNHEMT器件缓冲层的背景载流子浓度并抑制沟道电子向势垒层扩散，从而减小流经器件缓冲层的泄漏电流，提高耐压能力。在相同栅源电压下，AlxGa1‑xN缓冲层的Al组分越高器件的泄漏电流越低，从而器件的击穿电压越高。

主权项：1.一种具有high-klow-k复合介质结构的AlGaNGaNHEMT，其特征在于，包括：高K介质层；所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

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