申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113948390B

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.08#实质审查的生效;2022.01.18#公开

摘要：本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaNGaNHEMT及制备方法，该硅基AlGaNGaNHEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaNGaNHEMT器件；S3、对所述硅基AlGaNGaNHEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaNGaNHEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaNGaNHEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

主权项：1.一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaNGaNHEMT的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在Si衬底1的背面依次生长若干SiGe外延层7；S2、在所述Si衬底1的正面依次生长AlN成核层3、AlGaN阶变层4、GaN缓冲层5和AlGaN势垒层6，形成硅基AlGaNGaNHEMT器件；S3、对所述硅基AlGaNGaNHEMT器件进行降温处理；其中，在所述Si衬底1的背面引入所述SiGe外延层7，使所述SiGe外延层7在SiGeSi界面引入二维电子气，抵消由于Al扩散进入所述Si衬底1带来的空穴浓度，降低所述硅基AlGaNGaNHEMT器件的射频损耗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD