申请/专利权人：北京大学

申请日：2021-11-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114373837B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.05.06#实质审查的生效;2022.04.19#公开

摘要：本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件LED的器件结构及其制备方法。本发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体p‑n结注入结构。所述V形立体p‑n结注入结构是通过在AlGaN基量子阱部分的V形腐蚀坑的侧壁的半极性面上进一步形成AlGaN电子阻挡层EBL、p‑AlGaN和p‑GaN接触层而形成的。该V形立体p‑n结注入结构改变了目前广泛使用的在0001面蓝宝石衬底上生长的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿着[000‑1]方向注入这一固有限制，从而有效解决空穴迁移能力不足导致的注入效率低下的问题，显著提升LED器件量子阱中空穴浓度和均匀分布，进而提升器件的光输出功率，同时有效解决了大电流注入下的Droop效应问题。

主权项：1.一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构，其特征在于，具有V形立体p-n结注入结构；所述V形立体p-n结注入结构是通过在AlGaN基量子阱中V形腐蚀坑的侧壁的半极性面上进一步形成AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN和p-GaN接触层而形成的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法

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