申请/专利权人：ABB瑞士股份有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751515A

主分类号：H02M1/40

分类号：H02M1/40;H02M1/00;H02M7/5387

优先权：["20210917 EP 21197507.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种预测控制方法，用于通过变压器TR的磁通量的校正来防止变压器TR在电压快速改变期间饱和，所述变压器TR具有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组带有电力电子转换器PEC，变压器TR的磁通量的校正通过以下来进行：估计或测量初级信号ii，该初级信号ii包括变压器TR的初级绕组上的初级电压并且可选地包括变压器TR的初级绕组上的初级电流；以及将包括校正电压的校正信号注入到变压器TR的初级绕组中，以便防止变压器TR饱和。本发明还涉及一种控制系统，用于通过控制变压器TR的磁通量来防止变压器TR在电压快速改变期间饱和，所述变压器TR具有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组带有电力电子转换器PEC，该初级绕组被配置为用于接收校正信号U**，该次级绕组被连接到负载。

主权项：1.一种用于通过变压器TR的磁通量的校正来防止所述变压器TR在电压快速改变期间饱和的方法，所述变压器TR具有初级绕组和次级绕组，所述初级绕组带有电力电子转换器PEC，所述变压器TR的磁通量的校正通过以下来进行：估计或测量初级信号ii，所述初级信号ii包括所述变压器TR的所述初级绕组上的初级电压并且可选地包括所述变压器TR的所述初级绕组上的初级电流；以及将包括校正电压的校正信号注入到所述变压器TR的所述初级绕组中，以便防止所述变压器TR饱和，所述方法包括以下步骤：a对要被施加到所述变压器TR的所述初级绕组的转换器电压的所命令的改变的确认，所述转换器电压的所命令的改变包括所述变压器TR的所述初级绕组上的电压角度、电压参数和电压改变参数的初始值作为所述初级信号ii；b通过参考单元RU生成参考信号，所述参考信号包括参考电压信号U*；c将所述参考电压信号U*输入到参考通量轨迹计算器RF，所述参考通量轨迹计算器RF基于所述参考电压信号U*来计算参考通量Φ*，d将所述参考磁通量Φ*和所估计的磁通量的组合输入到通量控制器FC，所述通量控制器基于所述组合来生成校正项ΔU*，e生成经校正的参考信号，所述经校正的参考信号包括校正项U**，其中U**＝U*+ΔU*，f将所述经校正的参考电压信号U**和可选地所述变压器TR的所述次级绕组的负载及其随时间的改变输入到通量估计器E，所述通量估计器E基于所述经校正的参考电压信号U**和可选地所述变压器TR的所述次级绕组的所述负载及其随时间的所述改变来计算所估计的通量Φ，g通过所述电力电子转换器PEC将所述校正信号注入到所述变压器TR的所述初级绕组中，其特征在于，以下步骤还通过辅助预测控制单元ACU执行，所述辅助预测控制单元ACU包含所述系统的参考数学模型RM：h通过所获取的电压角和电压参数的初始值以及所获取的或预配置的电压改变参数来对所述系统的所述数学模型RM初始化，i使用所述系统的所述数学模型RM对预期的磁通量轨迹的计算，j通过建立所述预期的磁通量轨迹的均值、最大值和最小值并且将它们与预先确定的磁芯饱和极限±Φsat进行比较，来对所述预期的磁通量轨迹进行分类，以便预测所述变压器TR的饱和是否有望发生，k估计通量轨迹校正ΔΦ*t，在所述通量轨迹校正ΔΦ*t下，饱和可能会被避免或者可能会使所述饱和的发生最小化，l将所述通量轨迹校正ΔΦ*t作为由所述通量控制器FC用来生成所述校正项ΔU*的附加信号输入到所述通量控制器FC中，其中步骤g利用与步骤h中用于初始化所述系统的所述数学模型RM的初始条件相同的初始条件进行初始化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ABB瑞士股份有限公司 用于防止变压器在电压快速改变期间饱和的方法及其控制系统

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