申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747698A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/22

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种扩散制结工艺、太阳能电池及其制备方法。该扩散制结工艺主要包括通源沉积、推结、降温、PSG沉积反应、后氧化以及降温回压，通源沉积的次数在两次以上，每次通源沉积的过程中，大氮的体积流量为600sccm‑800sccm，小氮的体积流量为550sccm‑760sccm，氧气的体积流量为500sccm‑700sccm，压力为70mBar‑80mBar，其中，第一次通源沉积的温度为780℃‑790℃，通源沉积的温度依次递增，且递增的幅度为5℃‑15℃；推结选自有氧推结，温度为860℃‑880℃，且氧气的体积流量为50sccm‑300sccm，大氮的体积流量为500sccm‑1000sccm；在降温的步骤之后，还包括补源沉积的步骤。该扩散制结工艺能够在降低PN结表面磷浓度的同时增加结深，从而使单晶硅太阳能电池具有更加优异的转换效率，且避免了电池片漏电的风险。

主权项：1.一种扩散制结工艺，主要包括预氧化、通源沉积、推结、降温、PSG沉积反应、后氧化以及降温回压，其特征在于，所述通源沉积的次数在两次以上，每次所述通源沉积的过程中，大氮的体积流量为600sccm-800sccm，小氮的体积流量为550sccm-760sccm，氧气的体积流量为500sccm-700sccm，压力为70mBar-80mBar，其中，第一次通源沉积的温度为780℃-790℃，通源沉积的温度依次递增，且递增的幅度为5℃-15℃；所述推结选自有氧推结，温度为860℃-880℃，且氧气的体积流量为50sccm-300sccm，大氮的体积流量为500sccm-1000sccm；在所述降温的步骤之后，还包括补源沉积的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 扩散制结工艺、太阳能电池及其制备方法

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