申请/专利权人:国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日:2022-09-13
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117737665A
主分类号:C23C14/32
分类号:C23C14/32;C23C14/08;C23C14/58
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.03.22#公开
摘要:本发明公开了一种金属氧化物掺杂方法,所述金属氧化物掺杂方法包括:提供一真空电镀设备,在真空电镀设备内放置镀膜靶材和掺杂靶材,将样品放置在真空电镀设备的样品台上;使用镀膜靶材对样品进行真空电镀,沉积至预设厚度后停止电镀,使样品上形成镀膜金属薄膜;使用掺杂靶材对样品进行真空电镀,沉积至预设厚度后停止电镀,使样品上形成镀膜金属和掺杂金属的复合薄膜;利用脉冲光对复合薄膜进行加热;重复使用镀膜靶材和掺杂靶材对样品进行真空电镀并对复合薄膜进行脉冲光加热,直至镀膜厚度达到所需制备的厚度。本发明使用真空电镀对样品依次进行不同的靶材镀膜,并利用脉冲光对样品进行单层加热,使不同的金属掺杂的同时不会损伤样品。
主权项:1.一种金属氧化物掺杂方法,其特征在于,包括:提供一真空电镀设备,在所述真空电镀设备内放置靶材,靶材包括镀膜靶材和掺杂靶材,将样品放置在所述真空电镀设备的样品台上;使用所述镀膜靶材对所述样品进行真空电镀,沉积至预设厚度后停止电镀,使所述样品上形成镀膜金属薄膜;使用所述掺杂靶材对所述样品进行真空电镀,沉积至预设厚度后停止电镀,使所述样品上形成镀膜金属和掺杂金属的复合薄膜;利用脉冲光对所述复合薄膜进行加热;重复使用所述镀膜靶材和所述掺杂靶材对所述样品进行真空电镀并对所述复合薄膜进行脉冲光加热,直至镀膜厚度达到所需制备的厚度。
全文数据:
权利要求:
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