申请/专利权人：山东省科学院新材料研究所

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737820A

主分类号：C30B9/06

分类号：C30B9/06;C30B29/46;C30B9/12;C30B17/00;G02F1/355

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及红外非线性光学晶体的制备方法；本发明中红外非线性光学晶体分子式为SrZnSnSe4，制备方法包括顶部籽晶生长法和助熔剂生长法；本发明提供的一种红外非线性光学晶体的制备方法，制备过程中不需要真空硅管封装技术和使用保护气氛，利用本发明中的制备方法制得的晶体，其生长周期短，晶体直径可达厘米级以上。

主权项：1.红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括顶部籽晶生长法和或助熔剂生长法。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东省科学院新材料研究所 红外非线性光学晶体的制备方法

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