申请/专利权人：成都市硅海武林科技有限公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117134603B

主分类号：H02M1/36

分类号：H02M1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开

摘要：本发明公开了一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片，属于开关电源技术领域，本发明设计的一种新的高压启动电路结构，能满足更多场景下使用的要求，有更宽的电压输入范围和更高的电压输入值。可用于通信用电，工业用电等各种场景为各种不同功能的电路供电。本发明采用基于JFET晶体管来实现大电阻的作用来用作电路的降压电路，占用的昂贵的芯片面积较小，节约了成本，提高了产品竞争力，减小了电路待机时的功耗。

主权项：1.一种基于JFET的高压启动电路，包括降压电路、钳位电路、基准和偏置电路、电压调节模块、输出电路；其特征在于：所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接，所述降压电路包括两个串联的JFET晶体管，利用JFET晶体管反偏或夹断产生的电阻实现大电阻；所述的钳位电路包括第二齐纳二极管、至少一个第三齐纳二极管、第二N型高压MOS场效应管；所述第二齐纳二极管的负端与所述降压电路、所述第二N型高压MOS场效应管的栅极连接，所述第二齐纳二极管的正端与所述第三齐纳二极管的负端连接，所述第三齐纳二极管的正端与地连接，所述第二N型高压MOS场效应管的漏极与所述降压电路、所述输出电路连接，所述第二N型高压MOS场效应管的源极与所述电压调节模块连接；所述第二N型高压MOS场效应管起源跟随器的作用，使得源极电压跟随栅极电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都市硅海武林科技有限公司 一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD