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【发明授权】等离子处理装置以及等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202080004581.X 

申请/专利权人:株式会社日立高新技术

申请日:2020-04-21

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN113826189B

主分类号:H01L21/3065

分类号:H01L21/3065

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2021.12.21#公开

摘要:为了提供使晶片的处理的成品率得到提升的等离子处理装置或等离子处理方法,具备:处理室,其配置于真空容器内部,在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子;具有圆筒形的样品台,其配置于该处理室内,在上表面载置所述晶片;多个加热器,其配置于所述样品台的内部,配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域,包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器;多个温度传感器,其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部,比所述多个加热器的个数少;和控制部,其在对应于来自所述温度传感器的输出调节所述多个加热器的输出以使所述样品台的温度接近于目标值后,将所述多个加热器各自的输出调节成预先确定的值。

主权项:1.一种等离子处理装置,其特征在于,具备:处理室,其配置于真空容器内部,在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子;具有圆筒形的样品台,其配置于该处理室内,在上表面载置所述晶片;多个加热器,其配置于所述样品台的内部,配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心而同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域,所述多个加热器包含配置于关于至少1个所述环状的区域的绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器;多个温度传感器,其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部,比所述多个加热器的个数少;和控制部,其在对载置于所述样品台上的所述晶片进行处理的第1工序之后,对应于来自所述温度传感器的输出来可变地调节向所述多个加热器供给的电力的量,以使所述样品台的温度接近与该第1工序中的温度不同的第2工序的温度的目标值,然后在所述第2工序中,调节向所述多个加热器各自供给的电力的量,以使得维持根据预先获取到的表示所述样品台的温度和向所述多个加热器供给的电力的关联的数据而获得的与所述目标值对应的所述电力的量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社日立高新技术 等离子处理装置以及等离子处理方法

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