申请/专利权人：苏州玖凌光宇科技有限公司

申请日：2021-10-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114000112B

主分类号：C23C14/30

分类号：C23C14/30;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：本发明公开了一种氮化铝覆铜AMB方法，包括以下步骤：S1：陶瓷基板准备→S2：过渡金属层蒸镀→S3：溅射Cu，在陶瓷基板的键合区域涂装钎焊材料，开通磁控溅射台的冷却水，并打开所有的进气阀门，将铜靶材与基板放入反应腔内待溅射。本发明具有以下有益效果：金属间化合物和界面产物的形成大大提高了金属层之间的结合强度，从而提高整个金属层在陶瓷基板上的附着强度，该方法利用AMB工艺配合真空蒸发镀膜和磁控溅射技术制备的陶瓷基板金属化层具有稳定的电学性能，各基板表面的金属层都具有低电阻率，不仅提高了各个金属层与陶瓷基板的附着强度，而且延长陶瓷基板的使用寿命。

主权项：1.一种氮化铝覆铜AMB方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：陶瓷基板准备选用四片陶瓷基板放入盛有丙酮溶液的石英杯中，通过超声波设备超声清洗，然后将超声清洗后的基板放入酒精溶液中浸泡，再将基板放入石英杯中进行去离子水冲洗，用高纯N2枪将清洗好的基板吹干，放入氮气柜中备用；S2：过渡金属层蒸镀清洗好的基板放入蒸镀室的行星盘上，再对蒸镀室进行抽真空，当真空度达到预设值时打幵电子束高压电源，进行过渡金属层的蒸发，蒸镀完成后，基板放回氮气柜中；S3：溅射CuS3.1：在陶瓷基板的键合区域涂装钎焊材料，开通磁控溅射台的冷却水，并打开所有的进气阀门，然后开启磁控溅射台的总电源和射频电源，充气打开反应腔，将铜靶材与基板放入反应腔内待溅射；S3.2：关闭反应腔，开启机械泵对反应腔进行抽真空，当腔内真空度抽至3Pa左右后，幵启分子泵，打开插板阀，开启加热电源，对反应腔进一步抽真空并升温，温度达到预设值后，打开氩气阀门向反应腔内通入适当的氩气，待腔内气氛温度后通入直流电并调节电流大小，使靶材溅射出现辉光，调整溅射功率使其达到预设值，调整功率后预溅射开始镀膜；所述步骤S2中，所述过渡金属层包括Ti、Al或TiAl，所述Ti纯度≥99.99%，Al纯度≥99.99%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州玖凌光宇科技有限公司 一种氮化铝覆铜AMB方法

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