申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2019-04-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112119484B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开

摘要：本发明是鉴于这种课题而完成的，提供一种形成多晶硅膜的掩模层的等离子体处理方法，该方法能够抑制蚀刻形状异常。本发明的特征在于，在对多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法中，使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气以及羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。

主权项：1.一种等离子体处理方法，形成多晶硅膜的掩模，其特征在于，通过使用Cl2气体、CHF3气体、氧气和羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻来形成所述掩模，所述羰基硫气体的流量相对于所述混合气体的流量的比率为15～35％的范围内的值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子体处理方法

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