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【发明授权】半切液晶膜及加工方法_章思_201911329493.2 

申请/专利权人:章思

申请日:2019-12-20

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN111308756B

主分类号:G02F1/1333

分类号:G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/133

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要:一种半切液晶膜及加工方法,其包括第一基板、第一导电层、液晶层、第二导电层、第二基板,其特征在于,在所述液晶膜的边缘内预设距离处设有因半切而形成的半切断线,半切断线至少深入至第一导电层和第二导电层中的其中一层导电层。由于本发明通过半切而使得内部的两层导电层不会导通,因此,全切时,即使最外侧边缘的导电层粘连也不会导致整个液晶膜电性能失效,这样,加工过程中,全切时便可利用C02激光器切割的优点而获得光滑不掉渣的外切面,半切时则可以利用紫外切割的优点而避免液晶膜电气性能失效,从而可结合现有技术中紫外切割和C02激光器切割所具有的全部优点,而消除紫外切割和C02激光器切割所具有的缺点而获得所需的产品。

主权项:1.一种半切液晶膜,其包括第一基板(1)、第一导电层(2)、液晶层(3)、第二导电层(4)、第二基板(5),所述第一导电层(2)附着于所述第一基板(1)上,所述第一基板(1)呈透明状,所述第二导电层(4)附着于所述第二基板(5)上,所述液晶层(3)设于所述第一导电层(2)和第二导电层(4)之间,其特征在于,在所述液晶膜的边缘内预设距离处设有因半切而形成的半切断线(7),所述半切断线(7)至少深入至所述第一导电层(2)和第二导电层(4)中的其中一层导电层;所述液晶膜设有突出于所述液晶层(3)边缘外的第一引脚(61)和第二引脚(62),所述第一引脚(61)与所述第一导电层(2)连通,所述第二引脚(62)与所述第二导电层(4)连通;所述半切断线(7)包括第一线部(71)、第二线部(72)和第三线部(73),所述第一线部(71)的位置对应于所述第一引脚(61)所在的位置,所述第二线部(72)的位置对应于所述第二引脚(62)所在的位置,所述第三线部(73)的位置对应于液晶膜上未设有第一引脚(61)和第二引脚(62)的部位所在的位置,所述第三线部(73)位于所述液晶膜边缘内,所述第一线部(71)在所述第一引脚(61)所对应的范围内中断而不连续,该第一线部(71)的终点位于所述第一引脚(61)的两侧边缘上;所述第二线部(72)在所述第二引脚(62)所对应的范围内中断而不连续,该第二线部(72)的终点位于所述第二引脚(62)的两侧边缘上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 章思 半切液晶膜及加工方法

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