申请/专利权人：中电化合物半导体有限公司

申请日：2021-01-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112885709B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.09.06#著录事项变更;2021.06.18#实质审查的生效;2021.06.01#公开

摘要：本发明提供一种碳化硅外延结构的制备方法，对反应腔室进行净化处理；在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层。本发明的制备方法简单，可在同一腔室内完成不同掺杂类型外延层的生长，实现不同掺杂外延层的连续生长，降低碳化硅外延结构的表面缺陷，提高碳化硅器件的良率。

主权项：1.一种碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：对反应腔室进行净化处理；在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层；其中，当对反应腔室进行净化处理时，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，刻蚀所述反应腔室的内部环境，利用刻蚀气体的腐蚀性将反应腔室内残留的P型掺杂剂去除，降低P型掺杂剂对N型碳化硅外延层的影响；所述刻蚀气体为氯气或者氯气和氩气的混合气。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中电化合物半导体有限公司 一种碳化硅外延结构的制备方法及半导体设备

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