申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-06-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116695238B

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要：本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置及方法在开启顶加热器和最高处的主加热器以使碳化硅晶体开始生长后，通过检测碳化硅晶体的生长图像计算碳化硅晶体的生长速率，并检测坩埚侧壁上与碳化硅晶体的生长面等高的预设部位的温度，根据碳化硅晶体的生长速率或者预设部位的温度调节顶加热器和多个主加热器的工况，以使预设部位的温度和碳化硅晶体的生长速率始终处于目标范围内，直至碳化硅晶体生长结束。这样就可以使得碳化硅晶体的生长速率以及预设部位的温度始终处于较为理想的目标范围内，从而提高碳化硅晶体的生长质量。

主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚100，所述坩埚100的顶壁内侧设置有供碳化硅晶体生长的籽晶110；顶加热器200，所述顶加热器200设置于所述坩埚100的顶壁上方；多个主加热器300，所述多个主加热器300设置于所述坩埚100的外侧且沿所述坩埚100的轴向间隔排布；图像检测模块400，所述图像检测模块400设置于所述坩埚100的外侧，用于检测所述碳化硅晶体的生长图像；温度检测模块500，所述温度检测模块500设置于所述坩埚100的外侧，用于检测所述坩埚100侧壁的预设部位的温度，所述预设部位为与所述碳化硅晶体的生长面等高的部位；控制模块600，所述控制模块600同时与所述图像检测模块400、所述温度检测模块500、所述顶加热器200以及所述多个主加热器300通信，用于在开启所述顶加热器200和最高处的所述主加热器300以使碳化硅晶体开始生长，并使所述碳化硅晶体的生长速率达到目标速率，所述预设部位的温度达到目标温度后，根据所述碳化硅晶体的生长图像计算所述碳化硅晶体的生长速率，并在碳化硅晶体的生长速率没有降低至目标速率的预设比例或者在预设部位的温度没有升高预设温度的情况下，控制顶加热器200的功率逐渐降低，同时控制最高处的主加热器300的功率逐渐升高，在碳化硅晶体的生长速率降低至目标速率的预设比例或者预设部位的温度升高预设温度的情况下，控制顶加热器200的功率不变，控制最高处的主加热器300的功率逐渐降低，控制次高处的主加热器300开启，并在所述碳化硅晶体的生长速率没有重新降低至所述目标速率的预设比例或者所述预设部位的温度没有重新升高预设温度的情况下，控制次高处的主加热器300的功率逐渐升高，在碳化硅晶体的生长速率重新降低至目标速率的预设比例或者预设部位的温度重新升高预设温度的情况下，控制次高处的主加热器300的功率逐渐降低，并从上到下依次开启次高处的主加热器300下方的主加热器300，直至碳化硅晶体生长结束；其中，所述温度检测模块500为红外测温计，所述红外测温计可转动地安装于所述坩埚100的外侧，用于在所述控制模块600的控制下转动，以射向所述预设部位从而检测所述预设部位的温度。

全文数据：

权利要求：

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