申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2019-04-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112334783B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01N17/00;G01N27/00;G01R31/30

优先权：["20180621 JP 2018-117700"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开

摘要：直流电源3对试验对象的半导体元件1‑1～1‑N施加直流电压。电流检测部4检测包括试验对象的半导体元件1‑1～1‑N的试验电路2的漏电流。测量器5记录漏电流的脉冲波形。分析器6基于所记录的脉冲波形对试验电路2中包括的试验对象的半导体元件1‑1～1‑N的可靠性进行分析。

主权项：1.一种半导体元件的可靠性评价装置，具备：直流电源，对至少一个试验对象的半导体元件施加直流电压；电流检测部，检测包括所述至少一个试验对象的半导体元件的试验电路的漏电流；测量器，记录所述漏电流的脉冲波形，其中，从由于所述至少一个试验对象的半导体元件被入射放射线而产生的漏电流的脉冲的大小变为阈值以上的瞬间起开始所述脉冲波形的记录；以及分析器，基于所记录的所述脉冲波形以及参照用半导体元件的漏电流的脉冲波形，对在所述试验电路中包括的所述至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法

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