申请/专利权人：图尔库大学

申请日：2020-04-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113966367B

主分类号：C08J5/18

分类号：C08J5/18;C09D5/24;C08F32/08;C08G61/08;H01B1/12;C08L65/00;C09D165/00;C08G61/10

优先权：["20190502 FI 20195357"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：公开了用于制造膜的方法，所述膜包括至少一个由聚薁或由其中单体之一为薁的共聚物或由其任意组合形成的聚合物层，其中所述膜位于基底的至少一个表面上。所述方法包括以下步骤：a通过在沉积表面上施加包含氧化剂的溶液来在沉积表面上形成氧化剂层；b通过使沉积表面在大气压下在20℃至95℃的聚合温度下暴露于至少薁单体蒸气来形成由聚薁或由其中单体之一为薁的共聚物或由其任意组合形成的聚合物层，其中步骤a在步骤b之前，并且其中在步骤b期间，沉积表面的温度与聚合温度相差0℃至30℃。

主权项：1.一种用于制造膜1的方法，所述膜1包括至少一个由聚薁或由其中单体之一为薁的共聚物或由其任意组合形成的聚合物层3，其中所述膜位于基底4的至少一个表面上，且所述膜的总厚度为10nm至100μm，并且其中所述方法包括以下步骤：a通过在沉积表面上施加包含氧化剂的溶液来在所述沉积表面上形成氧化剂层2；b通过使所述沉积表面在大气压下在45℃至75℃的聚合温度下暴露于至少薁单体蒸气来形成由聚薁或由其中单体之一为薁的共聚物或由其任意组合形成的聚合物层3，其中步骤a在步骤b之前，以及其中在步骤b期间，所述沉积表面的温度与所述聚合温度相差2℃至30℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 图尔库大学 用于制造膜的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD