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【发明授权】高频放大电路以及半导体装置_株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社_201910132295.0 

申请/专利权人:株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日:2019-02-22

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN110661497B

主分类号:H03F3/19

分类号:H03F3/19

优先权:["20180629 JP 2018-124621"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要:高频放大电路具备:源极接地的第1晶体管,将高频输入信号放大;栅极接地的第2晶体管,将由第1晶体管放大后的信号进一步放大而生成输出信号;第1电感器,连接在第1晶体管源极与第1基准电位节点之间;第2电感器,连接在第2晶体管漏极与第2基准电位之间;第1切换器,对是否在高频输入信号被输入的节点和连接第1电阻的输入信号路径上的节点之间的第3电感器上并联连接第1衰减器进行切换;第2切换器对是否在输入信号路径与第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换;第3切换器,从并联连接第2电感器的多个第2电阻中选择至少一个;及第4切换器,从并联连接在与第2晶体管漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器中选择至少一个。

主权项:1.一种高频放大电路,其中,具备:源极接地的第1晶体管,对高频输入信号进行放大;栅极接地的第2晶体管,对由所述第1晶体管放大后的信号进行进一步放大而生成输出信号;第1电感器,连接在所述第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间,所述第1基准电位节点是接地节点;第2电感器,连接在所述第2晶体管的漏极与第2基准电位之间;第1切换器,对是否在所述高频输入信号被输入的节点和从所述节点至所述第1晶体管的栅极的输入信号路径上连接第1衰减器进行切换;第2切换器,对是否在所述输入信号路径与所述第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换;第3切换器,从并联连接于所述第2电感器的多个第2电阻之中选择至少一个第2电阻;第4切换器,从并联连接在与所述第2晶体管的漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器之中选择至少一个第1电容器;以及第6切换器,对是否在所述第1晶体管以及所述第2晶体管的连接节点连接非线性补偿电路进行切换,所述非线性补偿电路对从所述输出信号路径输出的输出信号相对于所述高频输入信号的非线性进行补偿,所述第1切换器、所述第2切换器、所述第3切换器、所述第4切换器以及所述第6切换器进行与从多个增益模式之中选择的增益模式相应的切换。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 高频放大电路以及半导体装置

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