申请/专利权人：中国科学院化学研究所

申请日：2020-03-24

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113451513B

主分类号：H10K71/30

分类号：H10K71/30;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2021.09.28#公开

摘要：本发明提供了一种超低能离子注入方法，所述方法包括如下步骤：S1：在基底上依次形成导电下电极、半导体层、电解质绝缘层和导电上电极；S2：在所述导电上电极和所述导电下电极之间施加电压，所述电解质绝缘层中的离子在电场力的作用下加速并获得能量，由于离子注入时的能量和剂量可以通过电压控制，从而赋予了该方法具有高度可控特点。由于离子注入是非平衡热力学过程，不受热力学限制，因此，所注入离子的种类和浓度不受半导体材料固溶度的限制。所述方法还具有注入的离子单一、纯净和可选择的注入多种离子的优点。所述方法结合非易失性离子注入方法，即将半导体和电解质绝缘层分离，从而阻止离子回流，从而赋予该方法具有非易失性特性。

主权项：1.一种超低能离子注入方法，所述方法包括如下步骤：S1：在基底上依次形成导电下电极、半导体层、电解质绝缘层和导电上电极；S2：在所述导电上电极和所述导电下电极之间施加电压，所述电解质绝缘层中的离子在电场力的作用下加速并获得能量，实现离子对所述半导体层的离子注入；步骤S1中，形成所述电解质绝缘层原料为含离子的化合物或混合物，所述含离子的化合物或混合物选自离子盐、离子盐-绝缘复合物和离子盐溶液中的任意一种；步骤S2中，所述能量在10-9-10eV范围内；S3：在离子注入完成后，将所述电解质绝缘层和所述半导体层分离，阻止离子的回流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院化学研究所 一种超低能离子注入方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD