申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2019-12-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111801775B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/31

优先权：["20190204 JP PCT/JP2019/003817"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：在对成膜于试料的被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法中，具有：保护膜形成工序，在形成于试料的图案的上部选择性地形成保护膜，调整所形成的保护膜的宽度以使得该形成的保护膜的宽度的试料的面内的分布成为所希望的分布；和在保护膜形成工序后，对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的工序。

主权项：1.一种等离子处理方法，对成膜于试料的被蚀刻膜进行等离子蚀刻，其特征在于，具有：保护膜形成工序，在形成于所述试料的图案的上部选择性地形成保护膜，调整所形成的所述保护膜的宽度以使得所形成的所述保护膜的宽度的所述试料的面内的两个位置以上的分布成为所希望的分布；和在所述保护膜形成工序后，对所述被蚀刻膜进行等离子蚀刻的工序，所述保护膜形成工序对从形成有所述保护膜的所述试料反射的干扰光的光谱进行监视，基于所述试料的面内的分布为所希望的分布的情况下的从所述试料反射的干扰光的光谱的图案与所监视的所述干扰光的光谱的图案的比较结果，调整所述保护膜的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子处理方法以及等离子处理装置

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