申请/专利权人：厦门兴华鼎自动化技术有限公司

申请日：2020-10-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112269277B

主分类号：G02F1/025

分类号：G02F1/025;G02B6/12;G02B6/136

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.03.15#专利申请权的转移;2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.26#公开

摘要：本发明提供一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法，其中，方法包括：提供衬底SOI；通过光刻，在SOI硅层刻蚀出脊型硅波导层以及位于脊型硅波导层两侧的slab层并进行掺杂；其中，所述脊型硅波导层包括第一单晶硅层以及第二单晶硅层，第一单晶硅层与第二单晶硅层之间形成有一通道；在通道内淀积非晶硅；在非晶硅和脊型硅波导层上沉积一层二氧化硅；通过大功率激光器辐射二氧化硅的表面；所述大功率激光器辐射的激光透过所述二氧化硅的表面照射至所述非晶硅，使所述非晶硅退火生成第三单晶硅层，并且使得所述脊型硅波导层在横向的轴线产生拉应力，从而打破了单晶硅的中心反演对称结构，进而可以实现一阶电光效应，提高硅基电光调制器的调制效率。

主权项：1.一种基于应力硅的电光调制器的制备方法，其特征在于，包括：提供作为衬底的SOI；通过光刻，在所述SOI硅层刻蚀出脊型硅波导层以及位于所述脊型硅波导层两侧的slab层；其中，所述脊型硅波导层包括第一单晶硅层以及第二单晶硅层，所述第一单晶硅层与所述第二单晶硅层之间形成有一通道；在所述第一单晶硅层和所述第一单晶硅层旁边的第一slab层进行n型掺杂，所述第二单晶硅层和所述第二单晶硅层旁边的第二slab层进行p型掺杂；在所述通道内淀积非晶硅；在所述非晶硅和所述脊型硅波导层上沉积一层二氧化硅；通过大功率激光器辐射所述二氧化硅的表面；其中，所述大功率激光器辐射的激光透过所述二氧化硅的表面照射至所述非晶硅，使所述非晶硅退火生成第三单晶硅层，并且使得所述脊型硅波导层在横向的轴线产生拉应力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门兴华鼎自动化技术有限公司 一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法

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