申请/专利权人：凡澈科技(武汉)有限公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220651657U

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C16/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：一种基于非易失性随机存储器做缓存的eMMC，包括eMMC，在eMMC内设有闪存，在eMMC内设有与闪存相连接的，用于控制闪存上存储信息的控制器，在eMMC内还设置有非易失性随机存储器，控制器还用于控制非易失性随机存储器上的存储信息，本实用新型在传统的eMMC基础上，引入比闪存更高读写寿命的非易失性随机存储器技术，为eMMC提供缓存区，通过控制器控制，在反复改写特定单元块的数据和单次小批量增加数据时，不消耗闪存单元块的擦写次数，只消耗非易失性随机存储器的缓存区的单元块，从而减少闪存芯片的利用率，提升eMMC的使用寿命。

主权项：1.一种基于非易失性随机存储器做缓存的eMMC，其特征在于：包括eMMC（110），在eMMC（110）内设有闪存（140），在eMMC（110）内设有与闪存（140）相连接的，用于控制闪存（140）上存储信息的控制器（120），在eMMC（110）内还设置有非易失性随机存储器（130），控制器（120）还用于控制非易失性随机存储器（130）上的存储信息。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 凡澈科技(武汉)有限公司 一种基于非易失性随机存储器做缓存的eMMC

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