申请/专利权人：亿希格实业(深圳)有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117762853A

主分类号：G06F13/42

分类号：G06F13/42;G09G3/20;H04N5/765

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，本发明通过单一的串行外设接口SPI高效连接微控制单元MCU、外部Flash存储器和TFT显示屏，实现了一种简化的硬件架构，从而显著提高了TFT显示屏的帧率。由于SPI接口允许图像数据直接从Flash存储器传输到TFT屏幕，绕过了MCU的中间处理，这不仅加快了数据传输速度，还减轻了MCU的工作负担，降低了对其性能的依赖，此外减少了所需的MCUIO管脚数量，降低了内存需求，进一步减少了系统的总成本和功耗。通过电阻串联的方式降低了信号干扰，提高了传输稳定性，可以降低芯片资源要求，提高刷屏效率和效果。

主权项：1.一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：包括：微控制单元MCU；所述微控制单元MCU具有正电源输入引脚VDD和接地引脚VSS，所述微控制单元MCU的正电源输入引脚VDD连接至正电源电压VCC，所述微控制单元MCU的接地引脚VSS连接至接地GND；外部Flash存储器；所述外部Flash存储器设置有多个引脚，所述外部Flash存储器的接地GND引脚连接至一个公共接地，所述外部Flash存储器的电源VCC引脚连接至正电源电压VCC，所述外部Flash存储器的数据输出DO引脚通过一个上拉电阻R2连接至正电源电压VCC，所述上拉电阻R2的电阻值为4.7千欧姆，所述外部Flash存储器的片选CS#引脚通过一个上拉电阻R3连接至正电源电压VCC，所述上拉电阻R3的电阻值为4.7千欧姆，所述外部Flash存储器的数据输入DI引脚通过一个限流电阻R5连接至外部Flash存储器的数据输出DO引脚，所述限流电阻R5的电阻值为360欧姆；TFT屏幕；所述TFT屏幕具有第1引脚至第13引脚，所述第9引脚和第10引脚均与正电源电压VCC连接，所述第8引脚、第11引脚和第13引脚均连接至接地GND，所述正电源电压VCC与所述第12引脚之间通过一个电阻元件R1连接，所述电阻元件R1为51欧姆51R，所述正电源电压VCC通过一个电容元件C1连接至接地GND，所述电容元件C1为1微法拉1uF。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亿希格实业(深圳)有限公司 一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式

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