申请/专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117758352A

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B29/06;C30B15/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法，属于半导体单晶炉拉晶技术领域。所述副炉室具备：炉筒、多段波纹管以及气路连接装置，炉筒由多段腔体构成，在相邻两段腔体之间密封连接有波纹管，波纹管可沿炉筒轴向变形，并且具有径向抗压的性能；在炉筒上下两端分别设有具有密封功能的隔离阀，炉筒下端的隔离阀与主炉室上端的隔离阀匹配；在炉筒上下两端设有气路连接装置；在副炉室内部设有晶体固定机构；采用本发明的副炉室及配套的固定及转移设施，通过多个副炉室的交替使用，可实现消耗一个坩埚拉制多根单晶，缩短生产周期，大幅度提高了生产效率。

主权项：1.一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室，其特征在于，具备：炉筒、多段波纹管以及气路连接装置，其中，炉筒由多段腔体构成，在相邻两段腔体之间密封连接有波纹管，波纹管可沿炉筒轴向变形，并且具有径向抗压的性能；在炉筒上下两端分别设有具有密封功能的隔离阀，炉筒下端的隔离阀与主炉室上端的隔离阀匹配；在炉筒上下两端设有气路连接装置，通过该气路连接装置导入受控气体，控制副炉室内温度压力；在副炉室内部设有晶体固定机构，用于将拉制完成的硅单晶固定在副炉室内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司 一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法

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