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【发明公布】内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202211138568.0 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2022-09-19

公开(公告)日:2024-03-26

公开(公告)号:CN117766008A

主分类号:G11C29/08

分类号:G11C29/08;G11C29/56

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要:本公开提供一种内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器,包括获取存储单元的温度数据,根据温度数据调节存储单元的数据刷新频率,根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令,刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据,并从存储单元中读出数据,将读出的数据与预设数据进行比较获得测试结果,以补偿存储单元的漏电速率随着温度变化而变化的情况,即维持存储单元中存储数据,又提高数据写入或读出效率,提升测试运行效率。

主权项:1.一种内建自测试方法,其特征在于,所述方法应用于控制器,所述方法包括:获取存储单元的温度数据,根据所述温度数据调节所述存储单元的数据刷新频率;根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令,所述刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新所述存储单元中存入的预设数据;从所述存储单元中读出数据;将读出的数据与所述预设数据进行比较,获得测试结果。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器

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