申请/专利权人：重庆邮电大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766573A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及一种具有鳍式Z型栅结构的SOI‑LDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P‑well、漏极N+区、源极P+区、源极N+区、沟槽栅极、表面栅氧化层、平面栅极以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的沟槽栅极和平面栅极组成结构类似“Z”，使得器件在正向导通时，导电沟道反型层不仅在P阱区的顶部形成，而且也沿着Z型栅的侧壁形成，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，降低了比导通电阻。此外，Z型栅还可形成漂移区到底部的均匀电流分布，有助于降低比导通电阻，提高跨导，增强电流控制能力。

主权项：1.一种具有鳍式Z型栅结构的SOI-LDMOS器件，其特征在于：该器件包括：衬底13；埋氧层12，形成于所述衬底13表面；漂移区10，形成于所述埋氧层12表面；P-well5，形成于所述埋氧层12表面，且与所述漂移区10接触；漏极N+区11，形成于所述漂移区10中；源极P+区1，形成于所述P-well5表面；源极N+区2，形成于所述P-well5表面，与所述源极P+区1接触，且通过P-well5与所述漂移区10相隔；沟槽栅极8，形成于所述P-well5的凹槽处，且通过源栅隔离氧化层3与所述源极N+区2相隔，通过P阱-栅极隔离氧化层6与所述P-well5相隔，通过漂移区-栅极隔离氧化层7与所述漂移区10相隔；表面栅氧化层4，形成于所述P-well5的凸起表面；平面栅极9，形成于所述表面栅氧化层4表面；以及金属电极，包括在所述源极P+区1和源极N+区2表面形成的源极金属电极，在所述沟槽栅极8和平面栅极9表面形成的栅极金属电极，以及在所述漏极N+区11表面形成的漏极金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学 具有鳍式Z型栅结构的SOI-LDMOS器件

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