申请/专利权人：豪雅株式会社

申请日：2022-03-31

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117769682A

主分类号：G03F1/32

分类号：G03F1/32;C23C14/06

优先权：["20210629 JP 2021-107975"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供具备能够满足所要求的对于ArF准分子激光的曝光光的耐光性、并且在实际使用中能够以良好的精度容易地进行EB缺陷修正的相移膜的掩模坯料。所述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，相移膜由含有过渡金属、硅及氮的材料形成，相移膜的内部区域中的氮及氧的合计含量相对于过渡金属的含量的比率为12以上且19以下，所述内部区域是除了相移膜的与透光性基板的界面的附近区域、和相移膜的与透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

主权项：1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜由含有过渡金属、硅及氮的材料形成，所述相移膜的内部区域中的氮及氧的合计含量相对于过渡金属的含量的比率为12以上且19以下，所述内部区域是除了所述相移膜的与所述透光性基板的界面的附近区域、和所述相移膜的与所述透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪雅株式会社 掩模坯料、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法

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