申请/专利权人：华北电力大学

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117358266B

主分类号：B01J27/057

分类号：B01J27/057;C02F1/30;C02F1/72;B01J27/24;B01J35/39;C02F101/36;C02F101/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明属于环境工程技术领域，提供了一种Sc单原子桥连g‑C3N4MoSe2异质结催化材料的制备方法及应用。将Sc单原子引入具有二维片层结构g‑C3N4MoSe2异质结界面间通过配位键形成单原子桥连异质结。Se‑Sc‑N桥连结构形成隧穿效应，能有效提高g‑C3N4MoSe2异质结界面间电荷迁移速率；Sc单原子的非对称的配位环境还能有效的调控其d带中心位置，并形成表面驰豫现象，提高其对H2O2分子的吸附能力，并引起局域原子空间的变化，强化单原子桥连处异质结界面间的电子迁移能力，进而强化Sc位点活化H2O2结构能力，降低其向·OH转化的反应能垒，增加类芬顿催化活性。

主权项：1.一种Sc单原子桥连g-C3N4MoSe2异质结催化材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1：制备改性g-C3N4材料；步骤2：制备二维片层MoSe2材料；步骤3：将步骤1中制备的改性g-C3N4和步骤2中制备的MoSe2加入到乙醇溶液中超声30min，其中，改性g-C3N4材料与二维片层MoSe2材料的投加质量比为40:1-5:1，改性g-C3N4材料与二维片层MoSe2材料的投加量分为1-5mgmL和0.1-1mgmL，超声之后，向溶液中加入硝酸钪，控制二维片层MoSe2与硝酸钪投加质量比为5:1-1:1，硝酸钪的投加量为0.025-0.25mgmL，搅拌30min；之后，将溶液放入鼓风干燥箱中，以60℃干燥，待干燥后将固体研磨均匀得到黄绿色粉末，用于后续煅烧；步骤4：将步骤3中得到的研磨后黄绿色粉末放入瓷舟内，放入管式炉中煅烧，反应气氛为N2，反应温度300-400℃，反应时间0.5-3h，反应结束后待产物自然冷却至室温，将粉末放入去离子水中，超声10min，再经抽滤得到浅绿色粉末固体，用无离子水和乙醇交替清洗3次，将固体放入真空烘箱中35℃干燥，得到Sc单原子桥连g-C3N4MoSe2异质结催化材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华北电力大学 一种Sc单原子桥连g-C₃N₄/MoSe₂异质结催化材料的制备方法及应用

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