申请/专利权人：浜松光子学株式会社

申请日：2019-11-29

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN113302462B

主分类号：G01J1/42

分类号：G01J1/42;G01J1/44;H01L31/107

优先权：["20181212 JP 2018-232892","20181212 JP 2018-232895","20190926 JP 2019-175941"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要：决定方法决定APD的击穿电压与施加于APD的偏置电压的差分电压。温度补偿部通过基于该差分电压控制偏置电压而进行APD的增益的温度补偿。在该决定方法中，将偏置电压设为“Vr”，将被施加了该偏置电压的APD的增益设为“M”。取得将表示偏置电压与增益的相关的数据中的“1M×dMdVr”设为反应变量且将“M”设为解释变量的回归直线的斜率及截距。通过将上述斜率代入下式1的“a”，将上述截距代入下式1的“b”，将在光检测装置中设定于雪崩光电二极管的增益代入下式1的“Md”而运算的“ΔV”，被决定为上述差分电压，[数1]

主权项：1.一种决定方法，其中，是关于具有雪崩光电二极管的光检测装置，决定电压的决定方法，包含：在将施加于所述雪崩光电二极管的偏置电压设为“Vr”，将被施加了该偏置电压的所述雪崩光电二极管的增益设为“M”的情况下，取得将表示所述偏置电压与所述增益的相关的数据中的“1M×dMdVr”设为反应变量且将“M”设为解释变量的回归直线的斜率及截距；及决定所述雪崩光电二极管的击穿电压与所述偏置电压的差分电压，所述光检测装置具有基于被决定的所述差分电压进行所述雪崩光电二极管的增益的温度补偿的温度补偿部，在决定所述差分电压时，将通过将所述斜率代入下式1的“a”，将所述截距代入下式1的“b”，将设定于所述雪崩光电二极管的增益代入下式1的“Md”而运算的“ΔV”决定为所述差分电压，

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浜松光子学株式会社 决定方法及光检测装置

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