申请/专利权人：图尔库大学

申请日：2018-05-04

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN112074558B

主分类号：C08G61/12

分类号：C08G61/12;H10K30/80;H10K50/80;C09K3/16;C09D5/24;C09D165/00;H01B1/12;H10K85/10;H01G9/00;H01G9/028;H01G9/15

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：本发明公开了一种用于制备衬底上的PEDOT膜的方法，所述膜包括衬底和在衬底表面上的至少一个PEDOT层。该方法包括以下步骤：将包含氧化剂和碱抑制剂的溶液涂覆在衬底的表面上，通过在聚合温度下使涂覆有氧化剂的衬底的表面暴露于EDOT单体蒸汽，使涂覆有氧化剂的衬底经受聚合步骤，以及其中在聚合步骤中，使涂覆有氧化剂的衬底的温度保持在受控的衬底温度，并且其中所述受控的衬底温度比所述聚合温度低2至40℃。此外还公开了导电PEDOT膜，包括导电PEDOT膜的电子器件以及导电PEDOT膜的不同用途。

主权项：1.一种用于制备聚3,4-乙撑二氧噻吩PEDOT膜的方法，所述膜包括衬底和在衬底的至少一个表面上的至少一个PEDOT层，其中该方法包括以下步骤：a将包含氧化剂和碱抑制剂的溶液涂覆在所述衬底的至少一个表面上，以便在所述衬底的至少一个表面上形成氧化剂涂层，b通过在聚合温度下使涂覆有氧化剂的衬底的表面暴露于3,4-乙撑二氧噻吩EDOT单体蒸汽，使步骤a中形成的涂覆有氧化剂的衬底经受聚合步骤，以在涂覆有氧化剂的衬底的表面上形成PEDOT层，其中所述聚合步骤的持续时间为1至10分钟，以及其中在聚合步骤中，使涂覆有氧化剂的衬底的温度保持在受控的衬底温度，其中所述聚合温度为55-95℃，并且所述受控的衬底温度为40-70℃，并且其中所述受控的衬底温度比所述聚合温度低2至30℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 图尔库大学 制备PEDOT膜的方法

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