申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855313A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/0392;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种1DGaN纳米柱阵列2DMoS2薄膜Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器与制备；器件包括PET衬底，ITO薄膜，金属电极，MoS2薄膜，GaN纳米柱阵列。发明人通过湿法转移技术将1DGaN纳米柱阵列2DMoS2薄膜无损转移至Pedot:PssITOPET柔性衬底上构建柔性异质结，实现了自供电柔性探测器制备。由于2DMoS2薄膜作为转移模板，1DGaN纳米柱阵列不会出现倒塌与破坏。该器件利用了GaN纳米柱阵列巨大的比表面积提升光吸收，利用了2DMoS2的二维量子限域性，提高了载流子迁移率，因此，柔性探测器在紫外探测器时表现出高响应度、快响应速度，制备过程无复杂操作和有害污染物产生，为下一代光电探测提供了有效策略。

主权项：1.一种1DGaN纳米柱阵列2DMoS2Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：包括GaN纳米柱垂直阵列6、MoS2薄膜5、Pedot:Pss薄膜、ITO薄膜2、PET柔性衬底1、第一金属电极3、第二金属电极4；所述ITO薄膜2位于PET柔性衬底1上；所述MoS2薄膜5位于ITO薄膜2上；所述GaN纳米柱垂直阵列6位于MoS2薄膜5上；所述第一金属电极3位于ITO薄膜2上，形成欧姆接触；所述第二金属电极4位于GaN纳米柱垂直阵列6上，形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS₂/Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器与制备

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